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MIT Lincoln Laboratory investiert in zwei 300-mm-Hyperion-Systeme von AIXTRON zur Förderung der Forschung an GaN und 2D-Materialien
Herzogenrath, 23. Juni 2026 – AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein führender Anbieter von Beschichtungsanlagen für die Halbleiterindustrie, gab heute bekannt, dass das MIT Lincoln Laboratory im Rahmen einer Partnerschaft, die durch das Büro des Gouverneurs von Massachusetts und die Northeast Microelectronics Coalition (NEMC) ermöglicht wurde, zwei Hyperion-300-mm-Systeme erworben hat. Die Systeme unterstützen die Forschung in den Bereichen Galliumnitrid-(GaN)-Leistungselektronik, Hochfrequenzanwendungen sowie zweidimensionaler (2D) Materialien der nächsten Generation. Sie stehen Nutzern innerhalb und außerhalb des NEMC-Ökosystems zur Verfügung. Die beiden Hyperion-Systeme werden im Lincoln Laboratory des Massachusetts Institute of Technology (MIT) installiert und primär für die Bearbeitung von 200-mm-Wafern konfiguriert. Gleichzeitig bleibt die volle Prozessfähigkeit für Substrate bis zu 300 mm erhalten. Diese Flexibilität ermöglicht es den Forschern, mit verschiedenen Wafergrößen zu arbeiten und den Übergang vielversprechender Materialien und Bauelementkonzepte in eine Serienproduktion zu unterstützen. Ein Hyperion-System wird für die Entwicklung von GaN-Leistungs- und HF-Bauelementen eingesetzt, einschließlich der Erforschung neuartiger Barrierestrukturen und fortschrittlicher Materialkonzepte für Hochleistungsbauelemente der nächsten Generation. Das zweite System wird der Forschung an 2D-Materialien gewidmet, wobei Transistoren der nächsten Generation und „Remote-Epitaxie“ zu den Zielanwendungen gehören. „Wir freuen uns sehr, unsere Partnerschaft mit dem MIT weiter auszubauen. Dieser Meilenstein stellt einen weiteren wichtigen Schritt für die Technologie von AIXTRON sowie für die umfassendere Integration von GaN- und 2D-Materialien in siliziumbasierte Fertigungsumgebungen dar“, sagte Dr. Felix Grawert, CEO von AIXTRON. „Die Hyperion-300-mm-Plattform kombiniert skalierbare Waferkapazität mit hoher Prozessflexibilität und eignet sich damit hervorragend für die Spitzenforschung des MIT Lincoln Laboratory in zwei der vielversprechendsten Bereiche der modernen Mikroelektronik. Ihre Vielseitigkeit unterstützt die Entwicklung von Materialien der nächsten Generation und ebnet den Weg von der Forschung zur zukünftigen industriellen Anwendung.“ Dieses Projekt baut auf dem Engagement des Bundesstaates Massachusetts auf, die heimische Halbleiterinnovation im Bereich der Halbleitertechnik durch den NEMC Hub zu stärken. Das SCALE Capital Program der NEMC unterstützt gezielte Investitionen in strategische Anlagen an führenden Forschungseinrichtungen. Es wird durch Mittel der Healey-Driscoll-Administration sowie des NEMC-Hub finanziert und soll Fortschritte in der Mikroelektronik beschleunigen sowie die Zusammenarbeit zwischen Wissenschaft, Staat und Industrie stärken. Ansprechpartner Christian Ludwig Vice President Investor Relations & Corporate Communications fon +49 (2407) 9030-444 e-mail c.ludwig@aixtron.com Über AIXTRON AIXTRON SE ist ein führender Anbieter von Beschichtungsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Herzogenrath (bei Aachen), Deutschland, sowie Tochtergesellschaften und Vertriebsniederlassungen in Asien, den Vereinigten Staaten und Europa. Die Technologielösungen von AIXTRON werden weltweit von einer Vielzahl von Kunden eingesetzt, um fortschrittliche Komponenten für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleitern oder organischen Halbleitermaterialien herzustellen. Solche Komponenten finden in einer Vielzahl von Anwendungen, Technologien und Branchen Verwendung. Dazu gehören Laser- und LED-Anwendungen, Display-Technologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Leistungsmanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signaltechnik und Beleuchtung sowie eine Reihe weiterer Spitzenanwendungen. Unsere eingetragenen Marken: AIXACT®, AIX-Multi-Ject®, AIXTRON®, Close Coupled Showerhead®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, HXP®, HYPERION®, Multi-Ject®, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, TriJet®. Weitere Informationen zu AIXTRON (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) finden Sie auf unserer Website unter: www.aixtron.com. Zukunftsgerichtete Aussagen Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen bezüglich des Geschäfts, der Betriebsergebnisse, der Finanzlage und der Ertragsaussichten von AIXTRON enthalten. Diese Aussagen sind an Begriffen wie „könnte“, „wird“, „erwarten“, „voraussehen“, „in Erwägung ziehen“, „beabsichtigen“, „planen“, „glauben“, „fortsetzen“ und „schätzen“ sowie an Variationen solcher Begriffe oder ähnlichen Ausdrücken zu erkennen. Diese zukunftsgerichteten Aussagen basieren auf unseren aktuellen Einschätzungen, Erwartungen und Annahmen, von denen viele außerhalb der Kontrolle von AIXTRON liegen und Risiken sowie Unsicherheiten unterliegen. Sie sollten sich nicht übermäßig auf diese zukunftsgerichteten Aussagen verlassen. Sollten diese Risiken oder Unsicherheiten eintreten oder sollten die zugrunde liegenden Erwartungen nicht eintreten oder sich Annahmen als unrichtig erweisen, können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen oder Erfolge von AIXTRON erheblich von den in der jeweiligen zukunftsgerichteten Aussage explizit oder implizit beschriebenen abweichen. Dies könnte auf eine Vielzahl von Faktoren zurückzuführen sein, wie z. B. die tatsächlich bei AIXTRON eingegangenen Kundenaufträge, die Nachfrage nach Abscheidungstechnologie auf dem Markt, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme der Produkte durch die Kunden, die Lage auf den Finanzmärkten und den Zugang zu Finanzmitteln für AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Abscheidungsanlagen und die makroökonomischen Rahmenbedingungen, Stornierungen, Terminverschiebungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Einschränkungen der Produktionskapazitäten, verlängerte Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung in der Halbleiterindustrie, verstärkter Wettbewerb, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Fördermittel, Schwankungen und/oder Änderungen der Zinssätze, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie alle anderen Faktoren, die in Berichten oder anderen Veröffentlichungen, insbesondere im Kapitel „Risiken“ des von AIXTRON eingereichten Geschäftsberichts, erörtert werden. Alle in diesem Dokument enthaltenen zukunftsgerichteten Aussagen basieren auf den aktuellen Erwartungen und Prognosen des Vorstands auf der Grundlage der zum Zeitpunkt der Veröffentlichung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung, zukunftsgerichtete Aussagen aufgrund neuer Informationen, zukünftiger Ereignisse oder aus anderen Gründen zu revidieren oder zu aktualisieren, es sei denn, dies ist gesetzlich ausdrücklich vorgeschrieben. Dieses Dokument ist auch in einer deutschen Übersetzung verfügbar. Im Falle von Abweichungen ist das englischsprachige Dokument maßgebend und gilt als gültige Fassung. Ende der Pressemitteilung Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE Schlagwort(e): Unternehmen
23.06.2026 CET/CEST Veröffentlichung einer Pressemitteilung, übermittelt durch EQS News - ein Service der EQS Group. |
| Sprache: | Deutsch |
| Unternehmen: | AIXTRON SE |
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| WKN: | A0WMPJ |
| Indizes: | MDAX, TecDAX |
| Börsen: | Regulierter Markt in Frankfurt (Prime Standard); Freiverkehr in Düsseldorf, Hamburg, Hannover, München, Stuttgart, Tradegate BSX; Nasdaq OTC |
| EQS News ID: | 2350418 |
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